Получение наночастиц кристаллического кремния открывает широкие перспективы для создания нового поколения компактных диодов, оптических
усилителей и лазеров. Это доказывает работа ученых Института проблем
лазерных и информационных технологий РАН. Ими разработана технология
получения нанокристаллов кремния, упорядоченных ансамблей этих частиц на поверхности пленки из диоксида кремния, а также наночастиц кремния, легированных
ионами редкоземельных элементов. Теоретический анализ переноса энергии
и излучательных процессов в таких полупроводниковых структурах выявил
ряд их уникальных особенностей. Полученные результаты легли в основу
технологии изготовления светодиодов в спектральной области вблизи 1.54
мкм. Существенно, что разработанный метод
формирования электролюминесцентных светодиодов на основе пленок
с наночастицами кремния совместим с существующей кремниевой
технологией. Он может быть использован, в частности, для повышения скорости передачи данных в микропроцессорных вычислительных устройствах, в которых обмен информацией между СБИС осуществляется с помощью световых сигналов по оптической шине.
Работа выполнена при поддержке Роснауки в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007 — 2012 годы». |
